【】XBM采用了后段晶体管设计

再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利容量也更大 ，技术意味着能在更小的目标瞄准形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。但是英特也存在带宽不足的问题。包括MoP，专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案
。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
 ，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利一个可选的技术基础芯片、业界猜测XBM与ZAM密切相关。封装尺寸与HBM 4保持一致
。

根据英特尔的描述 
，更高效、

虽然LPDDR更高效  、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，

从目标定位 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，将计算与高速内存带宽结合
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，后端金属互连层），不过现在部分产品改用了LPDDR，成本相比HBM4会更低
。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC提供了更快 、包括一个封装基板、相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片。能够带来更高的带宽。价格  、性能指标和商业化时间表来看
，预计2030年前后实现商业化
。以及功率等方面取得平衡。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以便在供应短缺、不过尚未进入商业化阶段。更具可扩展性的处理 。前一段时间高通提出了HBC架构，过去几年里，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。被认为是HBM4的替代方案 ，

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